GT10Q101
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
GT10Q101中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
上升时间 70.0 ns
封装参数
引脚数 3
封装 TO3PN
外形尺寸
封装 TO3PN
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
GT10Q101引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GT10Q101 | Toshiba 东芝 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 10A 3Pin3+Tab TO-3PN | 搜索库存 |