GT25Q102
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
GT25Q102中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
上升时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
GT25Q102引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GT25Q102 | Toshiba 东芝 | TOSHIBA GT25Q102 单晶体管, IGBT, 25 A, 2.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 引脚 | 搜索库存 |