GA50SICP12-227

GeneSiC Semiconductor 分立器件

GENESIC SEMICONDUCTOR GA50SICP12-227 场效应管, JFET/SIC二极管合成包, 1.2KV, SOT-227

Power Driver Module 1.2kV 50A SOT-227-4, miniBLOC

得捷:
SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV

贸泽:
肖特基二极管与整流器 1200V 100A Standard

e络盟:
GENESIC SEMICONDUCTOR GA50SICP12-227 场效应管, JFET/SIC二极管合成包, 1.2KV, SOT-227

艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 80A SiC 4-Pin SOT-227

Verical:
Trans JFET N-CH 1200V 80A SiC Automotive 4-Pin SOT-227

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GA50SICP12-227 Bipolar BJT Single Transistor, Co-Pack, 50 A, 1.2 kV

GA50SICP12-227中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 67 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

GA50SICP12-227引脚图与封装图

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