GA20JT12-263

GeneSiC Semiconductor 晶体管

Trans JFET N-CH 1200V 45A SiC 4Pin3+Tab TO-263

1200V 45A Tc 282W Tc Surface Mount D2PAK 7-Lead

得捷:
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK

立创商城:
1.2kV 45A

贸泽:
MOSFET 1200V 45A Standard

艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 45A SiC 4-Pin3+Tab TO-263

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GA20JT12-263 Power MOSFET, 20 A, 1.2 kV

GA20JT12-263中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 157 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3091pF @800VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 282W Tc

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263-7

外形尺寸

高度 4.6 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

GA20JT12-263引脚图与封装图

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