GA10SICP12-247

GeneSiC Semiconductor 电子元器件分类

Trans JFET N-CH 1200V 10A SiC 3Pin3+Tab TO-247AB

Power Driver Module 1.2kV 10A TO-247-3

得捷:
SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV

贸泽:
MOSFET 1200V 25A SIC CoPak

艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 10A SiC 3-Pin3+Tab TO-247AB

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GA10SICP12-247 RF FET Transistor, 1.2 kV, 10 A, 91 W, TO-247AB

AMEYA360:
SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV

GA10SICP12-247中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 91 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

GA10SICP12-247引脚图与封装图

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GA10SICP12-247	GeneSiC Semiconductor	Trans JFET N-CH 1200V 10A SiC 3Pin3+Tab TO-247AB	搜索库存