GA10JT12-263

GeneSiC Semiconductor 晶体管

GENESIC SEMICONDUCTOR GA10JT12-263 碳化硅结晶体管, 1.2KV, 10A, TO-263

表面贴装型 1200 V 25A（Tc） 170W（Tc）

得捷:
TRANS SJT 1200V 25A

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GA10JT12-263

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碳化硅结晶体管, 1.2KV, 10A, TO-263

艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 10A SiC 4-Pin3+Tab TO-263

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# GENESIC SEMICONDUCTOR GA10JT12-263 Power MOSFET, 10 A, 1.2 kV

GA10JT12-263中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 94 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

输入电容Ciss 1403pF @800VVds

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-7

外形尺寸

高度 4.6 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

GA10JT12-263引脚图与封装图

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