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GWM160-0055X1-SMD

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Blister N-CH 55V 150A

Mosfet Array 6 N-Channel 3-Phase Bridge 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL™


得捷:
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS


贸泽:
MOSFET 160 Amps 55V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 150A 17-Pin Blister


GWM160-0055X1-SMD中文资料参数规格
技术参数

通道数 6

漏源极电阻 3.3 mΩ

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 125 ns

下降时间 120 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-17

外形尺寸

长度 37.5 mm

宽度 25 mm

高度 5 mm

封装 SMD-17

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

GWM160-0055X1-SMD引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号GWM160-0055X1-SMD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: GWM160-0055X1-SMD

品牌: IXYS Semiconductor

封装: 17-SMD N-CH 55V 150A

当前型号

Blister N-CH 55V 150A

当前型号

型号: GWM160-0055X1-SL

品牌: IXYS Semiconductor

封装: 17-SMD N-CH 55V 150A

完全替代

Blister N-CH 55V 150A

GWM160-0055X1-SMD和GWM160-0055X1-SL的区别