GB10SLT12-220
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GeneSiC Semiconductor
分立器件
GB10SLT12-220中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.8V @10A
耗散功率 190000 mW
反向恢复时间 0 ns
正向电流 10 A
正向电压Max 1.8V @10A
正向电流Max 25 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 175℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 190000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
外形尺寸
高度 9.17 mm
封装 TO-220-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
GB10SLT12-220引脚图与封装图
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在线购买GB10SLT12-220
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | GENESIC SEMICONDUCTOR GB10SLT12-220 二极管, 碳化硅肖特基, 硅, 1200V系列, 单, 1.2 kV, 10 A, 37 nC, TO-220AC | 搜索库存 |
替代型号GB10SLT12-220
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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