GA06JT12-247
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
通道数 1
耗散功率 9 W
漏源极电压Vds 1200 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
高度 21.44 mm
封装 TO-247-3
重量 0.608000242476 kg
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
GA06JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | Trans JFET N-CH 1200V 6A 3Pin TO-247AB | 搜索库存 |