GKR26/12

GeneSiC Semiconductor 分立器件

Diode Switching 1.2kV 25A 2Pin DO-4

Diode Standard 1200V 25A Chassis, Stud Mount DO-4

得捷:
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

贸泽:
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4

艾睿:
Diode Switching 1.2KV 25A 2-Pin DO-4

AMEYA360:
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

GKR26/12中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.55V @60A

正向电流 25 A

正向电压Max 1.55V @60A

工作温度Max 180 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

封装 DO-203AA

外形尺寸

封装 DO-203AA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

GKR26/12引脚图与封装图

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