GB02SLT12-252
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
正向电压 1.8V @2A
反向恢复时间 0 ns
正向电流 2 A
正向电压Max 1.8V @2A
正向电流Max 7 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 65000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-252 Silicon Carbide Schottky Diode, 1200V Series, Single, 1.2kV, 2A, 14NC, TO-252 | 搜索库存 |