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GB01SLT12-214

GB01SLT12-214

数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor 分立器件

GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT12-214  二极管, 碳化硅, 肖特基, 1A, 1.2KV, DO-214AA

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 2.5A Surface Mount SMB DO-214AA


得捷:
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB


立创商城:
1.2kV 1.8V@1A


贸泽:
肖特基二极管与整流器 1200V 2.5A Standard


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, MPS Series, 单, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214


艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 2.5A 2-Pin SMB


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT12-214  Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 1 A, 13 nC, DO-214AA


GB01SLT12-214中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.8V @1A

耗散功率 42 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 1 A

正向电压Max 1.8V @1A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

GB01SLT12-214引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT12-214  二极管, 碳化硅, 肖特基, 1A, 1.2KV, DO-214AA 搜索库存