GL12T-G3-18中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 14.3 V
耗散功率 300 W
钳位电压 24 V
脉冲峰值功率 300 W
最小反向击穿电压 13.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
GL12T-G3-18引脚图与封装图
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在线购买GL12T-G3-18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GL12T-G3-18 | Vishay Semiconductor 威世 | ESD Suppressor TVS 12V 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
替代型号GL12T-G3-18
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： GL12T-G3-18 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23-3 | 当前型号 | ESD Suppressor TVS 12V 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 |
| 型号： GL12T-E3-08 品牌： 威世 封装： TO-236-3 | 完全替代 | DIODE ESD LOW CAP 12V SOT23 | GL12T-G3-18和GL12T-E3-08的区别 |
| 型号： GL12T-E3-18 品牌： 威世 封装： SOT-23-3 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 Dual Diode 12Vrwm | GL12T-G3-18和GL12T-E3-18的区别 |
| 型号： GL12T-HE3-08 品牌： 威世 封装： SOT-23-3 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 Dual Diode 12Vrwm AEC-Q101 Qualified | GL12T-G3-18和GL12T-HE3-08的区别 |