锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

GI751-E3/73

GI751-E3/73

数据手册.pdf

Diode Switching 100V 6A 2Pin Case P600 Ammo

* Low forward voltage drop * Low leakage current, IR less than 0.1 μA * High forward current capability * High forward surge capability * Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106


得捷:
DIODE GEN PURP 100V 6A P600


艾睿:
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case P-600 Ammo


安富利:
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case P600 Ammo


GI751-E3/73中文资料参数规格
技术参数

正向电压 900mV @6A

反向恢复时间 2.5 µs

正向电压Max 900mV @6A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 P600, Axial

外形尺寸

封装 P600, Axial

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

GI751-E3/73引脚图与封装图
暂无图片
在线购买GI751-E3/73
型号 制造商 描述 购买
GI751-E3/73 Vishay Semiconductor 威世 Diode Switching 100V 6A 2Pin Case P600 Ammo 搜索库存
替代型号GI751-E3/73
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: GI751-E3/73

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: P600

当前型号

Diode Switching 100V 6A 2Pin Case P600 Ammo

当前型号

型号: GI751-E3/54

品牌: 威世

封装:

类似代替

VISHAY  GI751-E3/54  标准恢复二极管, 单, 100 V, 6 A, 1.25 V, 2.5 µs, 400 A

GI751-E3/73和GI751-E3/54的区别

型号: GI751-E3

品牌: 威世

封装:

类似代替

VISHAY GI751-E3 Standard Recovery Diode, 100V, 6A, Single, 900mV, 2.5µs, 400A

GI751-E3/73和GI751-E3的区别

型号: MR751-BP

品牌: 美微科

封装:

类似代替

DIODE GEN 100V 6A LEADED BUTTON

GI751-E3/73和MR751-BP的区别