GA100SICP12-227

GeneSiC Semiconductor 分立器件

GENESIC SEMICONDUCTOR GA100SICP12-227 合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-227

Power Driver Module 1.2kV 100A SOT-227-4, miniBLOC

得捷:
SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV

贸泽:
MOSFET 1200V 200A Standard

e络盟:
合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-227

艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC 4-Pin SOT-227

Verical:
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 4-Pin SOT-227

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GA100SICP12-227 RF FET Transistor, 1.2 kV, 100 A, 133 W, SOT-227

GA100SICP12-227中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 10 mΩ

耗散功率 133 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

漏源击穿电压 1200 V

上升时间 21 ns

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.4 mm

高度 12.19 mm

封装 SOT-227-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

GA100SICP12-227引脚图与封装图

暂无图片

在线购买GA100SICP12-227

型号	制造商	描述	购买
GA100SICP12-227	GeneSiC Semiconductor	GENESIC SEMICONDUCTOR GA100SICP12-227 合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-227	搜索库存