GA20JT12-247

GeneSiC Semiconductor 晶体管

Trans JFET N-CH 1200V 20A SiC Automotive 3Pin3+Tab TO-247AB

1200V 20A Tc 282W Tc Through Hole TO-247AB

得捷:
TRANS SJT 1200V 20A TO247AB

贸泽:
MOSFET 1200V 45A Standard

艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 20A SiC Automotive 3-Pin3+Tab TO-247AB

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GA20JT12-247 Power MOSFET, 20 A, 1.2 kV

GA20JT12-247中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5 W

漏源极电压Vds 1200 V

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 282W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

GA20JT12-247引脚图与封装图

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GA20JT12-247	GeneSiC Semiconductor	Trans JFET N-CH 1200V 20A SiC Automotive 3Pin3+Tab TO-247AB	搜索库存