GRM0335C1ER80BZ01D
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muRata
村田
被动器件
GRM0335C1ER80BZ01D中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
电容 0.8 pF
容差 ±0.1 pF
电介质特性 C0G/NP0
产品系列 GRM
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
封装 0201
外形尺寸
长度 600 µm
宽度 300 µm
高度 0.3 mm
封装 0201
厚度 300 µm
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 15000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
GRM0335C1ER80BZ01D引脚图与封装图
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在线购买GRM0335C1ER80BZ01D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GRM0335C1ER80BZ01D | muRata 村田 | 超小GRM系列/ GRM033 （ 0201芯片尺寸） Ultra-small GRM series / GRM033 0201 Chip size | 搜索库存 |
替代型号GRM0335C1ER80BZ01D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： GRM0335C1ER80BZ01D 品牌： muRata 村田 封装： 0603 800 fF 0.1pF 25V C0G/NP0 | 当前型号 | 超小GRM系列/ GRM033 （ 0201芯片尺寸） Ultra-small GRM series / GRM033 0201 Chip size | 当前型号 |
| 型号： CL03C0R8BA3GNNC 品牌： 三星 封装： 0201 800 fF 25V ±0.1pF | 类似代替 | MLCC-多层陶瓷电容器 | GRM0335C1ER80BZ01D和CL03C0R8BA3GNNC的区别 |
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| 型号： GRM1555C1ER80BA01D 品牌： 村田 封装： 0402 800 fF ±0.1pF 25V C0G/NP0 | 功能相似 | 0402 0.8pF ±0.1pF 25V C0G | GRM0335C1ER80BZ01D和GRM1555C1ER80BA01D的区别 |