GS1M-TP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 1.00 A
电容 15.0 pF
输出电流 ≤1.00 A
正向电压 1.1V @1A
极性 Standard
热阻 15℃/W RθJL
正向电压Max 1.1V @1A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AC
外形尺寸
封装 DO-214AC
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
GS1M-TP引脚图与封装图
暂无图片
替代型号GS1M-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： GS1M-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： HSMA 1kV 1A | 当前型号 | DIODE GEN PURP 1kV 1A DO214AC | 当前型号 |
| 型号： GS1ME-TP 品牌： 美微科 封装： DO-214AC | 类似代替 | GS1M 系列 1000 V 1 A 低热阻 表面贴装 硅 整流器 - DO-214AC | GS1M-TP和GS1ME-TP的区别 |
| 型号： MRA4007T3G 品牌： 安森美 封装： SMA 1kV 1A | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MRA4007T3G 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 710 mV, 30 A | GS1M-TP和MRA4007T3G的区别 |