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GB100XCP12-227

GB100XCP12-227

数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor 分立器件

IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak

IGBT Module PT Single 1200V 100A Chassis Mount SOT-227


得捷:
IGBT MODULE 1200V 100A SOT227


贸泽:
IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 4-Pin SOT-227


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  GB100XCP12-227  IGBT Array & Module Transistor, NPN, 100 A, 1.2 kV, SOT-227


GB100XCP12-227中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 8.55nF @25V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

GB100XCP12-227引脚图与封装图
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