GB100XCP12-227
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 8.55nF @25V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak | 搜索库存 |