GN2470K4-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
耗散功率 2500 mW
击穿电压集电极-发射极 700 V
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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GN2470K4-G | Microchip 微芯 | Trans IGBT Chip N-CH 700V 1A 2500mW 3Pin2+Tab DPAK | 搜索库存 |