GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor 分立器件

IGBT 晶体管 1200V 35A SIC IGBT CoPak

IGBT PT 1200V Through Hole TO-247AB

得捷:
IGBT 1200V SOT247

贸泽:
IGBT 晶体管 1200V 35A SIC IGBT CoPak

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247AB

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GA35XCP12-247 IGBT Array & Module Transistor, 35 A, 3 V, 1.2 kV, TO-247AB

GA35XCP12-247中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

GA35XCP12-247引脚图与封装图

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