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GHIS040A120S-A1

GHIS040A120S-A1

数据手册.pdf
Global Power 分立器件
GHIS040A120S-A1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.15nF @30V

额定功率Max 480 W

封装参数

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

GHIS040A120S-A1引脚图与封装图
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GHIS040A120S-A1 Global Power Igbt Boost Chop 1200V 80A Sot227 搜索库存