GHIS040A120S-A1
数据手册.pdf
Global Power
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 5.15nF @30V
额定功率Max 480 W
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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GHIS040A120S-A1 | Global Power | Igbt Boost Chop 1200V 80A Sot227 | 搜索库存 |