FZT869TC
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
FZT869TC中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3 W
最大电流放大倍数hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
封装 SOT-223-4
外形尺寸
封装 SOT-223-4
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FZT869TC引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FZT869TC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FZT869TC 品牌： Diodes 美台 封装： | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN High Ct Low Sat | 当前型号 |
| 型号： FZT869TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 NPN 25V 6.5A 3000mW | 类似代替 | FZT869TA 编带 | FZT869TC和FZT869TA的区别 |
| 型号： ZTX869 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 25V 5A 1200mW | 功能相似 | DIODES INC. ZTX869 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 450 hFE | FZT869TC和ZTX869的区别 |
| 型号： ZTX869STZ 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 25V 5A 1200mW | 功能相似 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR | FZT869TC和ZTX869STZ的区别 |