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FCX1149ATA

FCX1149ATA

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Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 25V 3A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

Zetex has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

FCX1149ATA中文资料参数规格
技术参数

频率 135 MHz

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 2 W

增益频宽积 135 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 270

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 260

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

FCX1149ATA引脚图与封装图
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