极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FMMT593QTA | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FMMT593QTA 品牌: Diodes 美台 封装: TO-236-3 PNP 500mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A | 当前型号 | |
型号: FMMT593TA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 PNP 100V 1A 500mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Medium Power | FMMT593QTA和FMMT593TA的区别 | |
型号: FMMT593 品牌: 美台 封装: | 功能相似 | 单晶体管 双极, PNP, 100 V, 150 MHz, 500 mW, -1 A, 100 hFE | FMMT593QTA和FMMT593的区别 |