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FMMT591TA

FMMT591TA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

FMMT591TA 编带

The three terminals of this PNP GP BJT from Zetex give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

FMMT591TA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

FMMT591TA引脚图与封装图
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在线购买FMMT591TA
型号 制造商 描述 购买
FMMT591TA Diodes 美台 FMMT591TA 编带 搜索库存
替代型号FMMT591TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FMMT591TA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-23-3 PNP 60V 1A 500mW

当前型号

FMMT591TA 编带

当前型号

型号： FMMT591QTA

品牌： 美台

封装： TO-236-3 PNP

完全替代

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

FMMT591TA和FMMT591QTA的区别

型号： DPBT8105-7

品牌： 美台

封装： SOT-23-3 PNP 60V 1A 300mW

类似代替

三极管

FMMT591TA和DPBT8105-7的区别

型号： ZXTP2039FTA

品牌： 美台

封装： SOT-23-3 PNP 80V 1A 350mW

类似代替

ZXTP2039F 系列 PNP 80 V 1 A 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-23-3

FMMT591TA和ZXTP2039FTA的区别