FF900R12IE4VPBOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
FF900R12IE4VPBOSA1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 54nF @25V
额定功率Max 20 mW
封装参数
封装 AG-PRIME2-1
外形尺寸
封装 AG-PRIME2-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FF900R12IE4VPBOSA1引脚图与封装图 
FF900R12IE4VPBOSA1电路图
在线购买FF900R12IE4VPBOSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FF900R12IE4VPBOSA1 | Infineon 英飞凌 | 1200V PrimePACK™ 2 dual IGBT module especially developed for CAV applications. Including Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode NTC and pre-applied Thermal Interface Material. | 搜索库存 |