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FZT755TA
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

- 双极 BJT - 单 PNP 30MHz 表面贴装型 SOT-223


得捷:
TRANS PNP 150V 1A SOT223-3


立创商城:
FZT755TA


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage


艾睿:
This PNP FZT755TA general purpose bipolar junction transistor from Diodes Zetex is perfect for a circuit requiring high-current density and can operate in a high voltage range. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 150 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
PNP Power Transistor SOT-223


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 150V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 150V 1A SOT-223


DeviceMart:
TRANS PNP -150V -1000MA SOT-223


FZT755TA中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

额定电压DC -150 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 2 W

增益频宽积 30 MHz

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

FZT755TA引脚图与封装图
FZT755TA引脚图

FZT755TA引脚图

FZT755TA封装焊盘图

FZT755TA封装焊盘图

在线购买FZT755TA
型号 制造商 描述 购买
FZT755TA Diodes 美台 Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号FZT755TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FZT755TA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 PNP 150V 1A 3000mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号: FZT755TC

品牌: 美台

封装:

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