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FCX1151ATA

FCX1151ATA

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Diodes(美台) 分立器件

FCX1151A 系列 PNP 3 A 40 V 表面贴装 硅 功率晶体管 - SOT-89

Thanks to Zetex, your circuit can handle high levels of voltage using the PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

FCX1151ATA中文资料参数规格
技术参数

频率 145 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 190

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

FCX1151ATA引脚图与封装图
FCX1151ATA引脚图

FCX1151ATA引脚图

FCX1151ATA封装图

FCX1151ATA封装图

FCX1151ATA封装焊盘图

FCX1151ATA封装焊盘图

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