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FMMT449TA
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Medium Power

- 双极 BJT - 单 NPN 150MHz 表面贴装型 SOT-23-3


得捷:
TRANS NPN 30V 1A SOT23-3


立创商城:
NPN 30V 1A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Medium Power


艾睿:
The versatility of this NPN FMMT449TA GP BJT from Diodes Zetex makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
Transistor, NPN, 1A, 30V, SOT23


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
FMMT449 系列 NPN 1 A 30 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 30V 1A SOT23 **


Win Source:
TRANS NPN 30V 1A SOT23-3


FMMT449TA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

FMMT449TA引脚图与封装图
FMMT449TA引脚图

FMMT449TA引脚图

FMMT449TA封装图

FMMT449TA封装图

FMMT449TA封装焊盘图

FMMT449TA封装焊盘图

在线购买FMMT449TA
型号 制造商 描述 购买
FMMT449TA Diodes 美台 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Medium Power 搜索库存
替代型号FMMT449TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FMMT449TA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 NPN 30V 1A 0.5W

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Medium Power

当前型号

型号: FMMT491ATA

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 NPN 40V 1A 500mW

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