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FCX558TA
Diodes(美台) 分立器件

DIODES INC.  FCX558TA  单晶体管 双极, PNP, -400 V, 50 MHz, 1 W, -200 mA, 100 hFE

- 双极 BJT - 单 PNP 400 V 200 mA 50MHz 1 W 表面贴装型 SOT-89-3


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# DIODES INC.  FCX558TA  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -400 V, 50 MHz, 1 W, -200 mA, 100 hFE


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FCX558TA中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -400 V

额定电流 -200 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 国防, 电源管理, 工业, 军用与航空

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

FCX558TA引脚图与封装图
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