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FZT591ATA
Diodes(美台) 分立器件

FZT591A 系列 2 W 40 V 表面贴装 PNP 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223

Jump-start your electronic circuit design with this versatile PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

FZT591ATA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

FZT591ATA引脚图与封装图
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在线购买FZT591ATA
型号 制造商 描述 购买
FZT591ATA Diodes 美台 FZT591A 系列 2 W 40 V 表面贴装 PNP 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223 搜索库存
替代型号FZT591ATA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FZT591ATA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 PNP 40V 1A 2000mW

当前型号

FZT591A 系列 2 W 40 V 表面贴装 PNP 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223

当前型号

型号: FZT591ATC

品牌: 美台

封装: SOT-223

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TRANSISTOR PNP MED PWR SOT223

FZT591ATA和FZT591ATC的区别