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FZT489TA

FZT489TA

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Diodes(美台) 分立器件

FZT489 系列 NPN 1 A 30 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223

Implement this versatile NPN GP BJT from Zetex into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

FZT489TA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

FZT489TA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FZT489TA Diodes 美台 FZT489 系列 NPN 1 A 30 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223 搜索库存
替代型号FZT489TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FZT489TA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-223 NPN 30V 1A 2000mW

当前型号

FZT489 系列 NPN 1 A 30 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223

当前型号

型号： BCP68T1G

品牌： 安森美

封装： SOT-223 NPN 20V 1A 1500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCP68T1G  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 60 MHz, 1.5 W, 1 A, 50 hFE

FZT489TA和BCP68T1G的区别

型号： BCP68-25,115

品牌： 恩智浦

封装： SOT223 NPN 1350mW

功能相似

NXP  BCP68-25,115  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 625 mW, 1 A, 160 hFE

FZT489TA和BCP68-25,115的区别

型号： BCP68

品牌： 恩智浦

封装： SOT-223 NPN 625mW

功能相似

NXP  BCP68  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 625 mW, 1 A, 85 hFE

FZT489TA和BCP68的区别