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FZT593TA

FZT593TA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 100V 1A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

FZT593 Series PNP 1 A 100 V SMT Silicon High Voltage Transistor - SOT-223


得捷:
TRANS PNP 100V 1A SOT223-3


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PNP 100V 1A


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FZT593 系列 PNP 1 A 100 V 表面贴装 硅 高压 晶体管 - SOT-223


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Trans GP BJT PNP 100V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


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TRANS PNP 100V 1A SOT-223


DeviceMart:
TRANS PNP -100V -1000MA SOT-223


FZT593TA中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

FZT593TA引脚图与封装图
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在线购买FZT593TA
型号 制造商 描述 购买
FZT593TA Diodes 美台 Trans GP BJT PNP 100V 1A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号FZT593TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FZT593TA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-223 PNP 100V 1A 3000mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 100V 1A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号： BSP19

品牌： 恩智浦

封装：

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FZT593TA和BSP19的区别

型号： BSP19TA

品牌： 美台

封装： SOT-223 NPN 350V 500mA

功能相似

TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223

FZT593TA和BSP19TA的区别

型号： FZT593TC

品牌： 美台

封装：

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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Medium Power

FZT593TA和FZT593TC的区别