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FZT751QTA

FZT751QTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

Features

•BVCEO> -60V

•IC= -3A high Continuous Current

•ICM= -6A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCEsat < -300mV @ -1A

• Complementary NPN Type: FZT651

•  Lead-Free Finish; RoHS compliant Notes 1 & 2

•  Halogen and Antimony Free. “Green” Device Note 3

•  Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

•  PPAP capable Note 4

Applications

•Automotive lighting

• MOSFET and IGBT gate driving

FZT751QTA中文资料参数规格
技术参数

频率 140 MHz

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FZT751QTA引脚图与封装图
FZT751QTA引脚图

FZT751QTA引脚图

FZT751QTA封装图

FZT751QTA封装图

FZT751QTA封装焊盘图

FZT751QTA封装焊盘图

在线购买FZT751QTA
型号 制造商 描述 购买
FZT751QTA Diodes 美台 Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号FZT751QTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FZT751QTA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT223 PNP 3000mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号： FZT751TA

品牌： 美台

封装： SOT-223 PNP 60V 3A 3000mW

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