
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FCX495TC 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-89-3 NPN | 当前型号 | FCX495 系列 NPN 1 W 150 V 1 A SMD 硅 平面 晶体管 - SOT-89 | 当前型号 | |
型号: FCX495TA 品牌: 美台 封装: SOT-89 NPN 150V 100mA 1000mW | 功能相似 | FCX495TA 编带 | FCX495TC和FCX495TA的区别 | |
型号: 2SC2881 品牌: 美微科 封装: | 功能相似 | Sot-89 Plastic-encapsulate Biploar Transistors | FCX495TC和2SC2881的区别 |