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FZT717TA
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 12V 3A 110MHz 2W Surface Mount SOT-223


得捷:
TRANS PNP 12V 3A SOT223-3


艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP FZT717TA GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 12 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 12V 3A SOT223


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP MED 12V SOT223


FZT717TA中文资料参数规格
技术参数

频率 110 MHz

额定电压DC -12.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

FZT717TA引脚图与封装图
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