FZ1200R12HE4PHPSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 74nF @25V
封装 AG-IHMB130-2
封装 AG-IHMB130-2
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Wind, Uninterruptible Power Supply UPS, Solar
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FZ1200R12HE4PHPSA1电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FZ1200R12HE4PHPSA1 | Infineon 英飞凌 | 1200V IHMB 130mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode - The best solution for your industry applications | 搜索库存 |