FF600R12ME4BOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module

IGBT 模块沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 4050 W 底座安装模块

得捷:
IGBT MODULE 1200V 4050W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3650000mW 11-Pin ECONOD-5 Tray

安富利:
MEDIUM POWER ECONO

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 995A 4050000mW 11-Pin ECONOD-5 Tray

FF600R12ME4BOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 4.05 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 37nF @25V

额定功率Max 4050 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 3650000 mW

封装参数

引脚数 11

封装 AG-ECONOD-3

外形尺寸

封装 AG-ECONOD-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Welding, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives, Solar, Induction Heating

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FF600R12ME4BOSA1引脚图与封装图

FF600R12ME4BOSA1电路图

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FF600R12ME4BOSA1	Infineon 英飞凌	晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module	搜索库存