FF100R12KS4HOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
FF100R12KS4HOSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 780 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 650nF @25V
额定功率Max 780 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 780000 mW
封装参数
引脚数 7
封装 AG-62MM-1
外形尺寸
封装 AG-62MM-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Solar, Uninterruptible Power Supply UPS, Welding, Drives, Induction Heating, Commercial and Agriculture Vehicles
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FF100R12KS4HOSA1引脚图与封装图 
FF100R12KS4HOSA1电路图
在线购买FF100R12KS4HOSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FF100R12KS4HOSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module | 搜索库存 |