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FF600R12IE4BOSA1

FF600R12IE4BOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module

Summary of Features:

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Extended Operation Temperature Ttvj op
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High DC Stability
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High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current
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Low Switching Losses
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Unbeatable Robustness
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Vcesat with positive Temperature Coefficient
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4kV AC 1min Insulation
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Package with CTI > 400
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High Creepage and Clearance Distances
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High Power and Thermal Cycling Capability
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Substrate for Low Thermal Resistance
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UL recognized

Benefits:

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High Power Density
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Standardized housing
FF600R12IE4BOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.35 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 37nF @25V

额定功率Max 3350 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 3350000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 AG-PRIME2-1

外形尺寸

封装 AG-PRIME2-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles, Drives, Solar, Uninterruptible Power Supply UPS, Traction, Wind

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FF600R12IE4BOSA1引脚图与封装图
FF600R12IE4BOSA1电路图

FF600R12IE4BOSA1电路图

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FF600R12IE4BOSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module 搜索库存