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FP50R06W2E3BOMA1

FP50R06W2E3BOMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 底座安装 模块


欧时:
Infineon FP50R06W2E3BOMA1


得捷:
IGBT MODULE 600V 65A 175W


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175000mW 23-Pin EASY2B-1 Tray


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175000mW 23-Pin EASY2B-1 Tray


Win Source:
IGBT MODULE 600V 65A 175W / IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600 V 65 A 175 W Chassis Mount Module


FP50R06W2E3BOMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 175 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.1nF @25V

额定功率Max 175 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 175000 mW

封装参数

引脚数 23

封装 AG-EASY2B-1

外形尺寸

封装 AG-EASY2B-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Air Conditioning System

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

FP50R06W2E3BOMA1引脚图与封装图
FP50R06W2E3BOMA1电路图

FP50R06W2E3BOMA1电路图

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型号 制造商 描述 购买
FP50R06W2E3BOMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module 搜索库存