FZ750R65KE3NOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
击穿电压集电极-发射极 6500 V
输入电容Cies 205nF @25V
额定功率Max 14500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 14500000 mW
封装 A-IHV190-6
封装 A-IHV190-6
工作温度 -50℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Wind, Commercial and Agriculture Vehicles, Traction
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
FZ750R65KE3NOSA1电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FZ750R65KE3NOSA1 | Infineon 英飞凌 | 6500V IHV 190mm single switch IGBT Module with IGBT3 - The best solution for your traction and industry applications. | 搜索库存 |