FP75R06KE3BOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
耗散功率 250 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 4.6nF @25V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 250000 mW
引脚数 35
封装 AG-ECONO3-3
封装 AG-ECONO3-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Air Conditioning System, Induction Heating
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
FP75R06KE3BOSA1电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FP75R06KE3BOSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 95 A, 1.45 V, 250 W, 600 V, Module | 搜索库存 |