锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FS200R07N3E4RBOSA1

FS200R07N3E4RBOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.55 V, 600 W, 650 V, Module

Summary of Features:

.
Increased blocking voltage capability to 650V
.
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current
.
Tvj op = 150°C
.
Integrated NTC temperature sensor
.
Copper Base Plate
.
Solder Contact Technology
.
Standard Housing

Benefits:

.
Compact module concept
.
Optimized customer’s development cycle time and cost
.
Configuration flexibility
FS200R07N3E4RBOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 600 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

输入电容Cies 13nF @25V

额定功率Max 600 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 35

封装 AG-ECONO3-4

外形尺寸

封装 AG-ECONO3-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Air Conditioning System, Induction Heating, Drives

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FS200R07N3E4RBOSA1引脚图与封装图
FS200R07N3E4RBOSA1电路图

FS200R07N3E4RBOSA1电路图

在线购买FS200R07N3E4RBOSA1
型号 制造商 描述 购买
FS200R07N3E4RBOSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.55 V, 600 W, 650 V, Module 搜索库存