FS75R12KE3B9BOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355000mW 26Pin ECONO2-6 Tray

IGBT 模块沟槽型场截止三相反相器底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 105A 355W

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355000mW 26-Pin ECONO2-6 Tray

安富利:
LOW POWER ECONO

FS75R12KE3B9BOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 355000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.3nF @25V

额定功率Max 355 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 355000 mW

封装参数

引脚数 26

封装 AG-ECONO2-6

外形尺寸

封装 AG-ECONO2-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FS75R12KE3B9BOSA1引脚图与封装图

FS75R12KE3B9BOSA1电路图

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