FF650R17IE4BOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module

IGBT 模块 - 2 个独立式 1700 V 4150 W 底座安装模块

得捷:
IGBT MODULE 1700V 4150W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150000mW Automotive 10-Pin PRIME2-1 Tray

FF650R17IE4BOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 4.15 kW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 54nF @25V

额定功率Max 4150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 4150000 mW

封装参数

引脚数 10

封装 PRIME2-1

外形尺寸

封装 PRIME2-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Wind, Uninterruptible Power Supply UPS, Commercial and Agriculture Vehicles, Solar, Drives

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FF650R17IE4BOSA1引脚图与封装图

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