FP25R12U1T4BPSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

1200V SmartPIM 1 IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and PressFIT Contact T...

IGBT 模块沟槽型场截止三相反相器底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 39A 190W

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 190000mW Tray

FP25R12U1T4BPSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1.45nF @25V

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 190000 mW

封装参数

封装 AG-SMART1-1

外形尺寸

封装 AG-SMART1-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FP25R12U1T4BPSA1引脚图与封装图

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