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FF450R12ME4PB11BOSA1

FF450R12ME4PB11BOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 450 A 底座安装 模块


得捷:
IGBT MODULE 1200V 450A


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trench Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode


FF450R12ME4PB11BOSA1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 28nF @25V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

封装 AG-ECONOD-4

外形尺寸

封装 AG-ECONOD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Induction Heating, Welding, Solar

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FF450R12ME4PB11BOSA1引脚图与封装图
FF450R12ME4PB11BOSA1引脚图

FF450R12ME4PB11BOSA1引脚图

FF450R12ME4PB11BOSA1电路图

FF450R12ME4PB11BOSA1电路图

FF450R12ME4PB11BOSA1封装焊盘图

FF450R12ME4PB11BOSA1封装焊盘图

在线购买FF450R12ME4PB11BOSA1
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FF450R12ME4PB11BOSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module 搜索库存