FF450R12ME4PB11BOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 28nF @25V
工作温度Max 150 ℃
封装 AG-ECONOD-4
封装 AG-ECONOD-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Induction Heating, Welding, Solar
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FF450R12ME4PB11BOSA1引脚图
FF450R12ME4PB11BOSA1电路图
FF450R12ME4PB11BOSA1封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FF450R12ME4PB11BOSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module | 搜索库存 |