FP25R12KT4B11BOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module

IGBT 模块沟槽型场截止三相反相器底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 25A 160W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trench and Field Stop IGBT Module

FP25R12KT4B11BOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 105 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1.45nF @25V

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Air Conditioning System, Induction Heating, Drives

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FP25R12KT4B11BOSA1引脚图与封装图

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FP25R12KT4B11BOSA1	Infineon 英飞凌	晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module	搜索库存